特許
J-GLOBAL ID：200903037080757413

インテグレーテッド・イメージセンサー及びLCDのアクティブマトリクスアレイ及びその半導体装置の構造

発明者：
呉逸蔚

呉逸蔚 について


出願人/特許権者：
財団法人工業技術研究院

財団法人工業技術研究院 について


代理人 (1件)： 志村 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-135146
公開番号（公開出願番号）：特開2000-330090
出願日： 1999年05月17日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】ディスプレイ及びセンサー薄膜トランジスタ(sensor thin-film transistor)及びイメージセンサーを有するLCDのアクティブマトリクスを提供し、LCDの幅と密度、解析度に対するニーズを満たすことが課題である。また、上述のインテグレーテッド・ハイレゾルーション・イメージセンサー(integrated high resolution image sensor)及びLCDを設計、製造するための装置構造を提供することが課題である。【解決手段】アクティブマトリクスアレイの各セルユニット(cell unit)に一つのディスプレイ薄膜トランジスタ(display thin-film transistor)を設け、セルユニットの液晶を制御する。各セルユニットは一つのイメージセンサー・ダイオード(diode)と一つのセンサー薄膜トランジスタを含み、対象イメージの入射光線(incident light)を走査する。複数のイメージセンサーを一つのLCD内に併合することで、イメージディスプレイとセンサーシステムを同一パネル上に製造することができ、高い解析度と入力幅を達成することができる。
請求項（抜粋）：
複数のセルアレイがあり、各セルアレイには複数の液晶を有し、セルアレイ中の液晶を制御するためにディスプレイ薄膜トランジスタが設けられており、この該薄膜トランジスタには保存キャパシター、センサー薄膜トランジスタが接続しており、このセンサー薄膜トランジスタにはイメージセンサー・ダイオード、複数の水平ディスプレイ・アドレスライン、複数の垂直ディスプレイ・アドレスラインが接続しており、この前記水平及び垂直ディスプレイ・アドレスラインは保存装置のディスプレイ薄膜トランジスタを走査、制御し、更に前記各セルアレイには複数の水平のセンサー・アドレスラインと複数の垂直センサー・アドレスラインがあり、この水平及び垂直センサー・アドレスラインはセルアレイのセンサー薄膜トランジスタを走査、制御することを特徴とするインテグレーテッド・イメージセンサー及びLCDのアクティブマトリクスアレイ。
IPC (7件)：
G02F 1/133 550 ,  G02B 3/00 ,  G02F 1/1335 ,  G02F 1/1347 ,  G02F 1/1365 ,  H01L 27/146 ,  H04N 5/66 102
FI (7件)：
G02F 1/133 550 ,  G02B 3/00 A ,  G02F 1/1335 ,  G02F 1/1347 ,  H04N 5/66 102 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/14 E
Fターム (44件)：
2H089HA18 ,  2H089QA16 ,  2H089TA09 ,  2H089TA10 ,  2H089TA12 ,  2H089TA16 ,  2H089TA18 ,  2H089UA09 ,  2H091FA02Y ,  2H091GA13 ,  2H091GA14 ,  2H091LA30 ,  2H091MA10 ,  2H092GA62 ,  2H092JA01 ,  2H092JA24 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB69 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092NA25 ,  2H092PA07 ,  2H092PA08 ,  2H092PA13 ,  2H092RA10 ,  2H093NE05 ,  2H093NG20 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA02 ,  4M118CB14 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FC02 ,  4M118GD04 ,  5C058AA06 ,  5C058AB06 ,  5C058BA01 ,  5C058BA05 ,  5C058BA08 ,  5C058BA29
引用特許：
審査官引用 (9件)
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