半導体装置におけるCVD膜形成方法およびその装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-000787
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182955
出願日： 1992年01月07日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体装置におけるCVD膜(主として酸化膜)を有機シリケート材と酸素により形成する方法に関するもので、その工程の時間を短縮するとともに、より均質化された膜を得ることを目的とするものである。【構成】前記目的のため本発明は、CVD膜形成装置にそのCVD膜を均質化するためのガス(実施例としてはH2 Oガス)を導入するバブラー3を設け、該装置内に半導体基板8を載置し、第1ステップとして、有機シリケート材(実施例ではTEOS)1と酸素2とを供給して前記基板8上にCVD膜を形成し、第2ステップとして、前記有機シリケート材1の供給を停止し、前記CVD膜表面を均質化するためのガス(実施例はH2 Oガス)を供給してCVD膜表面を均質化し、第3ステップとして、再度有機シリケート材1を供給してCVD膜を形成するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

(a)CVD膜育成装置内に半導体基板を載置し、該装置内に有機シリケート材と酸素とを供給して、前記半導体基板上にCVD膜を形成する工程と、(b)前記CVD膜が形成された後、前記有機シリケート材の供給を停止し、前記CVD膜の表面を均質化する工程と、(c)前記CVD膜表面を均質化した後、再度有機シリケート材を供給してCVD膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置におけるCVD膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 , H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭60-150672
特開昭63-076352
特開平2-285636

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