特許
J-GLOBAL ID：200903037123816923
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-154886
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347412
出願日： 1992年06月15日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：
【要約】【目的】半導体素子領域で発生した熱が速やかに半導体基板に伝わるような熱抵抗の小さいSOI型集積回路を提供する。【構成】SOI型集積回路において、コンタクト孔を少なくとも半導体層下の絶縁体層まで達するように形成し、電極導体膜で埋め込む。コンタクト孔が半導体基板まで達するように構成する場合は、電極導体膜と半導体基板間にショットキー接合を形成させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられた絶縁体層と、前記絶縁体層上に設けられ半導体素子を形成する半導体層と、前記半導体層上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜に形成されたコンタクト孔と、前記コンタクト孔に充填されて前記半導体層に形成された前記半導体素子の所定部に接続する電極導体膜とを有する半導体集積回路において、前記コンタクト孔は前記半導体層下の前記絶縁体層にまで達しそこで前記電極導体膜が前記絶縁体層に接していることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, H01L 21/90
, H01L 29/40
