ウエハ及び基板の処理装置及び処理方法、ウエハ及び基板の移載装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田明彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-164526
公開番号（公開出願番号）：特開平8-327959
出願日： 1995年06月08日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】半導体装置や液晶表示パネルの製造において、ウエハ及び基板の処理又は検査の工程を合理化し、かつ歩留まりを向上させる。【構成】ウエハ2又は基板を搬送する経路の途中に、大気圧又はその近傍の圧力下で所定の放電ガスに気体放電を発生させる手段12を設け、該手段により生成される放電ガスの励起活性種をウエハ表面に曝露させて、かつ放電ガスのガス種を適当に選択することによって、ウエハに対するアッシング、洗浄、親水性付与等の表面処理をインライン化して行う。

請求項（抜粋）：

ウエハ又は基板を処理又は検査するための手段と、前記処理又は検査手段に向けてもしくは該手段から前記ウエハ又は基板を搬送するための手段と、前記処理又は検査の前処理又は後処理として前記ウエハ又は基板を表面処理するための手段とを備え、前記表面処理手段が、大気圧又はその近傍の圧力下で所定の放電ガス中に気体放電を生じさせ、それにより生成される前記放電ガスの励起活性種に前記ウエハ又は基板を曝露させる手段からなることを特徴とするウエハ及び基板の処理装置。

IPC (7件)：

G02F 1/13 101 , G01R 31/26 , H01L 21/203 , H01L 21/3065 , H01L 21/304 341 , H01L 21/68 , H05H 1/46

FI (7件)：

G02F 1/13 101 , G01R 31/26 Z , H01L 21/203 S , H01L 21/304 341 D , H01L 21/68 A , H05H 1/46 B , H01L 21/302 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平3-229886
半導体装置の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-263361 出願人：山形日本電気株式会社

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