特許

J-GLOBAL ID：200903037203980147

Co-Ni-Feを主成分とする軟磁性薄膜,その製造方法,それを用いた磁気ヘッド及び磁気記憶装置

発明者： 逢坂 哲彌 ,  高井 まどか ,  橘 裕昭
出願人/特許権者： 学校法人早稲田大学 ,  日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-003530
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199726
出願日： 1997年01月13日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 高い飽和磁化と同時に高い比抵抗を併せ持つ磁気ヘッド用軟磁性薄膜およびその製造方法を提供し,また,この軟磁性薄膜を用いた磁気ヘッド及び磁気記憶装置を提供する。【解決手段】 磁気回路を形成する磁気ヘッドの下部軟磁性体層13及び上部軟磁性体層18の内の少なくとも一方を,原子比で30〜90%のCo,40%以下のNi,40%以下のFeからなるCo-Ni-Fe合金に,少なくともSを原子比で0.5〜4at%含有するCo-Ni-Feを主成分とする軟磁性薄膜によって形成する。この軟磁性薄膜は,Co,Ni,Feの各々の金属塩を含むめっき液で有って,更に,硫黄系有機化合物を含有するCo-Ni-Fe合金めっき液から電析して形成する。

請求項（抜粋）：

原子比で30〜90%のCo,40%以下のNi,及び40%以下のFeからなるCo-Ni-Fe合金に,少なくともSを原子比で0.5〜4%含有することを特徴とするCo-Ni-Feを主成分とする軟磁性薄膜。

IPC (6件)：

H01F 10/16 ,  C22C 38/00 303 ,  C23C 14/14 ,  G11B 5/31 ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/26

FI (6件)：

H01F 10/16 ,  C22C 38/00 303 S ,  C23C 14/14 F ,  G11B 5/31 C ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/26

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭48-088499