特許
J-GLOBAL ID：200903037220141892

微細パターン形成材料及びパターン形成方法

発明者：
浦野 文良

浦野 文良 について

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根岸 孝明

根岸 孝明 について

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遠藤 政孝

遠藤 政孝 について

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橋本 和彦

橋本 和彦 について

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勝山 亜希子

勝山 亜希子 について


出願人/特許権者：
和光純薬工業株式会社

和光純薬工業株式会社 について

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松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 平井 順二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-246324
公開番号（公開出願番号）：特開平6-194842
出願日： 1993年09月07日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【構成】一般式[I]【化1】で示される重合体と、電子ビームの照射によって酸を発生する事ができる酸発生剤と、これ等を溶解可能な溶剤を含んで成る事を特徴とするレジスト材料とこれを用いた微細パターン形成方法。【効果】本発明のレジスト材料を電子線レジストとして使用する事により、高感度で、高解像度、且つ安定したパターン寸法を維持したポジ型のレジストパターンを形成を出来る。特に本発明に係る重合体は酸の存在下、極めて容易に脱離可能な保護基を有しているのが特徴であり、これに適当な酸発生剤を組み合わせる事により極めて高感度化を可能にし、スループットが向上する。又、アルカリ水溶液を現像液として用いる事が出来るので、現像時の膨潤もなく、環境上、人体上にも問題はなく、容易に微細パターンを形成する事が出来、超高密度集積回路の製造に大きな価値を有するものである。
請求項（抜粋）：
一般式[I]【化1】[式中、R1は水素原子又はメチル基を表し、R2及びR3は夫々独立して水素原子又は炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し(但し、R2及びR3が共に水素原子の場合は除く。)、又、R2とR3で炭素数2〜5のメチレン鎖を形成していても良く、R4は炭素数1〜10の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のハロアルキル基、又はアラルキル基を表し、R5は水素原子又はシアノ基を表し、R6は水素原子又はメチル基を表し、R7は水素原子、シアノ基、-COOY(但し、Yは炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表す。)又は下記一般式[II]【化2】(但し、Zは水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜6の直鎖状又は分枝状のアルキル基、炭素数1〜10の直鎖状、分枝状又は環状のアルコキシ基を表す。)を表し、又、R5とR7は互いに結合して-CO-O-CO-となっていても良く、kとlは夫々独立して自然数を表し{但し、0.1≦k/(k+l)≦0.9である。}、mは0又は自然数を表す{但し、mが自然数の場合、0.05≦m/(k+l+m)≦0.50である。}。]で示される重合体と、電子ビームの照射によって酸を発生する事ができる酸発生剤と、これ等を溶解可能な溶剤を含んで成る事を特徴とするレジスト材料。
IPC (6件)：
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/028 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
H01L 21/30 301 R ,  H01L 21/30 341 P ,  H01L 21/30 361 L
引用特許：
審査官引用 (18件)
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