特許

J-GLOBAL ID：200903037222571819

MgOドープLiNbO3結晶の耐光損傷性の判定方法およびその用途

発明者： 中村 優 ,  常川 高志 ,  谷口 浩一 ,  只友 一行
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-320820
公開番号（公開出願番号）：特開2001-141651
出願日： 1999年11月11日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 MgOドープLN結晶の耐光損傷性の有無を、仕込み組成によらず現物の結晶をもとに非破壊で判定できる方法を提供すること。さらに、この判定方法によって耐光損傷性を有すると判定されたMgOドープLN結晶の用途を提供すること。【解決手段】 MgOドープLiNbO3 結晶の光の透過率を測定し、波長2.5μm〜3.3μmの波長帯域におけるベース透過率に対して、波長2.83μm付近での透過率の低下の幅が5%以上であり、かつ、波長2.87μm付近での透過率の低下の幅が5%未満であれば、その結晶は耐光損傷性を有すると判定する。この方法によって耐光損傷性が有りと判定されたMgOドープLN結晶に、周期的分極反転構造を形成すれば、耐光損傷性を有する好ましい波長変換素子が得られる。

請求項（抜粋）：

MgOドープLiNbO3 結晶の光の透過率を測定し、波長2.5μm〜3.3μmの波長帯域におけるベース透過率に対して、波長2.83μm付近での透過率の低下の幅が5%以上であり、かつ、波長2.87μm付近での透過率の低下の幅が5%未満であるときに、該結晶が耐光損傷性を有すると判定する、MgOドープLiNbO3 結晶の耐光損傷性の判定方法。

IPC (5件)：

G01N 21/35 ,  G01N 17/00 ,  G02F 1/355 501 ,  G02F 1/37 ,  G02F 1/39

FI (5件)：

G01N 21/35 Z ,  G01N 17/00 ,  G02F 1/355 501 ,  G02F 1/37 ,  G02F 1/39

Fターム (26件)：

2G050AA02 ,  2G050BA09 ,  2G050EA03 ,  2G050EB07 ,  2G059AA02 ,  2G059AA10 ,  2G059BB20 ,  2G059CC20 ,  2G059EE01 ,  2G059EE05 ,  2G059EE11 ,  2G059GG01 ,  2G059GG04 ,  2G059GG09 ,  2G059HH01 ,  2G059HH06 ,  2G059JJ02 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ19 ,  2G059KK10 ,  2G059MM05 ,  2G059MM10 ,  2G059PP04 ,  2K002AB12 ,  2K002CA03 ,  2K002GA10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 強誘電体のドメイン反転構造形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-029206   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 特開平3-111803
  
• 光損傷のないニオブ酸リチウム単結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-065526   出願人：ダイソー株式会社
• 特開平3-111803