絶縁ゲート半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-326010
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181308
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】ゲートボンディング部から各ゲートへの抵抗を低減すると共に各ゲート抵抗間のアンバランスを無くして高周波特性を改善し、かつ、1層目金属層の電流容量の制限を受けずに高出力化できる絶縁ゲート半導体装置を得る。【構成】多結晶シリコンゲート電極9上に並列に1層目アルミニウムを接続した2層構造とし、隣接するゲート同士をこの2層構造のままチャネル領域外で接続する。各隣接するゲートの真中から開口部40を介して2層目アルミニウムの引出し電極17により接続し、引出し電極17の中央にゲートボンディング41を設ける。ソース及びドレイン電極は、それぞれ1層目アルミニウム10,11と2層目アルミニウム15,16の2層構造にする。

請求項（抜粋）：

第1導電形の半導体基体と、半導体基体上に設けられた第1導電形の半導体層と、半導体層の表面に交互に設けられた第2導電形のドレイン、ソース層と、ドレイン、ソース層相互間に設けられた第1導電形のチャネル領域と、チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極用導体層と、ゲート電極用導体層を覆うようにして設けられた第1の層間絶縁膜と、第1の層間絶縁膜上に設けられたゲート電極用導体層よりも低抵抗の第1の金属導体層と、第1の金属導体層を覆うように設けらた第2の層間絶縁膜と、第2の層間絶縁膜上に設けられた第2の金属導体層と、ドレイン層上の前記第1の層間絶縁膜に対して設けられた開口部を介して前記ドレイン層に接続された第1の金属導体層からなる第1層目ドレイン電極と、ソース層上の前記第1の層間絶縁膜に対して設けられた開口部を介して前記ソース層に接続された第1の金属導体層からなる第1層目ソース電極と、ゲート電極用導体層上の前記第1の層間絶縁膜に対して設けられた開口部を介して前記ゲート電極用導体層に接続された第1の金属導体層からなる第1層目ゲート電極とから構成される絶縁ゲート半導体装置において、前記第1層目ドレイン電極上の第2の層間絶縁膜に対して設けられた開口部を介して各一端側が第1層目ドレイン電極に接続されると共に他端側が共通接続された第2の金属導体層からなる第2層目ドレイン電極と、前記第1層目ソース電極上の第2の層間絶縁膜に対して設けられた開口部を介して各一端側が第1層目ソース電極に接続されると共に他端側がチャネル領域外に位置する延在部を有した第2の金属導体層からなる第2層目ソース電極と、前記第1層目ドレイン電極を挟んで隣接する第1層目ゲート電極同士を、ゲート電極用導体層と共に前記第2層目ドレイン電極の一端側のチャネル領域外に延在させて接続部を構成し、この各接続部の中央上の第2の層間絶縁膜に対して設けられた開口部を介して各一端側が第2の金属導体層に接続されると共に他端側が隣接する第2層目ソース電極の前記延在部間を経て共通に接続される第2の金属導体層からなる第2層目ゲート電極導体層の中央に設けたゲート取り出し用電極と、を少なくとも有することを特徴とする絶縁ゲート半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (17件)

高周波高出力電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-017259 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-109677
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-319366 出願人：株式会社東芝

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