特許
J-GLOBAL ID：200903037230153759
熱型赤外線検出器アレイおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-259958
公開番号（公開出願番号）：特開2000-088640
出願日： 1998年09月14日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 半導体接合素子を検出器として使用し、半導体工程で一貫製造可能で、高感度かつ低雑音な熱型赤外線検出器アレイ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 複数の熱型赤外線検出器と、該熱型赤外線検出器から出力される電気信号を外部に出力する信号出力回路を備えた熱型赤外線検出器アレイであって、前記熱型赤外線検出器が単結晶シリコン基板上に酸化膜を介して設けられた単結晶シリコン層に1次元または2次元に配列して形成された半導体接合素子を含んで成り、前記信号出力回路が単結晶シリコン基板に直接形成されたトランジスタを含んで成ることを特徴とし、半導体接合素子を使用するため低雑音であり、信号出力回路を構成するトランジスタの耐圧が高く、電流-電圧特性が安定しているため、検出器への印加電圧を上げて高感度化し、検出器からの出力信号を歪みなく外部に出力することができる。
請求項（抜粋）：
複数の熱型赤外線検出器と、該熱型赤外線検出器から出力される電気信号を外部に出力する信号出力回路を備えた熱型赤外線検出器アレイであって、前記熱型赤外線検出器が、単結晶シリコン基板上に酸化膜を介して設けられた単結晶シリコン層に1次元または2次元に配列して形成された半導体接合素子を含んで成り、前記信号出力回路が単結晶シリコン基板に直接形成されたトランジスタを含んで成ることを特徴とする熱型赤外線検出器アレイ。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G01J 1/02 C
, G01J 1/02 Q
, G01J 1/02 R
, G01J 5/28
2G065AB02
, 2G065BA02
, 2G065BA12
, 2G065BA33
, 2G065BA34
, 2G065BC12
, 2G065CA12
, 2G065DA20
, 2G066AC13
, 2G066BA09
, 2G066BA11
, 2G066BA12
, 2G066BA13
, 2G066BA51
, 2G066BA55
, 2G066BB07
, 2G066CA08
