特許
J-GLOBAL ID:200903092986434043

赤外線検出器及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宮田 金雄 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-328672
公開番号(公開出願番号):特開平9-166497
出願日: 1995年12月18日
公開日(公表日): 1997年06月24日
要約:
【要約】【課題】 半導体製造ラインで使用される材料を使用して、高いTCRを有するとともに、適度の大きさの抵抗を有し、かつ1/fノイズが小さな高性能の赤外線検出器及びその製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁物からなる絶縁薄膜3上に島状に形成された複数の半導体層1と、半導体層1それぞれに設けられ、外部バイアス電圧に対して順バイアスの接合部5と逆バイアスの接合部6とを介して複数の半導体層1を直列に連結する金属薄膜2を備えた赤外線検出器とする。
請求項(抜粋):
絶縁物からなる絶縁薄膜、この絶縁薄膜上に形成された複数の半導体層、この半導体層それぞれに設けられ、外部バイアス電圧に対して順バイアスの接合部と逆バイアスの接合部、この接合部を介して上記複数の半導体層を直列に連結する金属薄膜を備えたことを特徴とする赤外線検出器。
IPC (2件):
G01J 5/20 ,  G01J 1/02
FI (2件):
G01J 5/20 ,  G01J 1/02 C
引用特許:
審査官引用 (12件)
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