特許
J-GLOBAL ID：200903037240665405
新規なラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパタ-ン形成方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-255167
公開番号（公開出願番号）：特開2000-159758
出願日： 1999年09月09日
公開日（公表日）： 2000年06月13日
要約：
【要約】【構成】 下記一般式(1)で示されるラクトン含有化合物。【化1】(式中、R1は水素原子、メチル基又はCH2CO2R5を示す。R2は水素原子、メチル基又はCO2R5を示す。R3は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R4は水素原子又はCO2R5を示す。R5は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。XはCH2、CH2CH2、O又はSを示す。)【効果】 本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。特にArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示されるラクトン含有化合物。【化1】(式中、R1は水素原子、メチル基又はCH2CO2R5を示す。R2は水素原子、メチル基又はCO2R5を示す。R3は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R4は水素原子又はCO2R5を示す。R5は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。XはCH2、CH2CH2、O又はSを示す。)
IPC (5件)：
C07D307/93
, C07D493/18
, C08F 20/28
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
C07D307/93
, C07D493/18
, C08F 20/28
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
