特許
J-GLOBAL ID:200903037258927520
光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法。
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 濱田 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-065215
公開番号(公開出願番号):特開2006-100766
出願日: 2005年03月09日
公開日(公表日): 2006年04月13日
要約:
【課題】吸収の半値幅が狭く色再現に優れた光電変換素子、及び撮像素子(好ましくはカラーイメージセンサー)を提供し、さらに、光電変換効率が高く耐久性にも優れた光電変換素子、及び撮像素子を提供する。【解決手段】少なくとも2つの電極に挟まれた有機光電変換膜を有し、該有機光電変換膜が少なくとも正孔輸送性光電変換膜と電子輸送性光電変換膜とを含んでなり、該正孔輸送性光電変換膜と該電子輸送性光電変換膜が可視域に吸収を有し、かつ、両者の光吸収の長波長端の差が50nm以下である、光電変換素子、及び撮像素子。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
少なくとも2つの電極に挟まれた有機光電変換膜を有し、該有機光電変換膜が少なくとも正孔輸送性光電変換膜と電子輸送性光電変換膜とを含んでなり、該正孔輸送性光電変換膜と該電子輸送性光電変換膜が可視域に吸収を有し、かつ、両者の光吸収の長波長端の差が50nm以下であることを特徴とする光電変換素子。
IPC (3件):
H01L 31/10
, H04N 9/07
, H01L 27/146
FI (3件):
H01L31/10 A
, H04N9/07 D
, H01L27/14 E
Fターム (21件):
4M118AA01
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA07
, 4M118CA15
, 4M118CB05
, 4M118CB20
, 4M118FA06
, 4M118GC08
, 5C065BB13
, 5C065BB42
, 5C065CC01
, 5C065DD17
, 5C065EE06
, 5C065EE10
, 5F049MA03
, 5F049MB08
, 5F049NA20
, 5F049NB05
, 5F049SS03
, 5F049WA03
引用特許:
前のページに戻る