有機半導体材料および有機薄膜トランジスタ並びにその製造方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-024878
公開番号（公開出願番号）：特開2005-154709
出願日： 2004年01月30日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】ウェットプロセスによる簡便な方法で素子を作製でき、キャリア移動度が高く、オンオフ比の大きい良好なトランジスタ特性を示し、かつ経時変化しにくい安定な有機半導体材料、及び該有機半導体材料を用いた有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】下記一般式(I)で示される繰り返し単位を有する重合体と、4-ジフェニルアミノスチルベン、4-ジ-p-トリルアミノスチルベン、4’-ジフェニルアミノ-α-フェニルスチルベン、4’-ジ-p-トリルアミノ-α-フェニルスチルベンなどで示される化合物からなる混合物を主成分とすることを特徴とする有機半導体材料。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(I)で示される繰り返し単位を有する重合体と、下記一般式(II)で示される化合物からなる混合物を主成分とすることを特徴とする有機半導体材料。

IPC (6件)：

C08L65/00 , C08K5/18 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/00

FI (7件)：

C08L65/00 , C08K5/18 , H01L21/368 L , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/78 617T , H01L29/28

Fターム (55件)：

4J002CE001 , 4J002EN056 , 4J002GQ05 , 5F053AA06 , 5F053BB09 , 5F053DD19 , 5F053FF01 , 5F053LL10 , 5F053PP03 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA14 , 5F110AA16 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK09 , 5F110HK10 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (9件)

有機薄膜トランジスタ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-345004 出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタ用半導体材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-295074 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
特許第3145294号公報

全件表示

前のページに戻る