アクティブマトリックス基板およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平木道人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-122089
公開番号（公開出願番号）：特開平6-308534
出願日： 1993年04月27日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】画面の大型化、高画質化、高精細化を可能にした駆動回路内蔵型のアクティブマトリックス基板およびその製造方法を提供する。【構成】ガラス基板1上にはスイッチング用TFTがマトリックス状に配置された画像表示領域2が形成され、画像表示領域2の上側および左側には、当該スイッチング用TFTを駆動するための信号側駆動回路領域3および走査側駆動回路領域4が形成されている。各駆動回路領域3、4は、レーザビームスポット内のエネルギ強度が略均一な範囲より小さい複数の領域であって、隣接する一方の領域へのレーザビーム照射時に当該レーザビームのエネルギ強度不均一範囲が他方の領域に照射されないように予定の間隔を設けて配置された小領域3-1〜3-5、4-1〜4-4内に分割されて集積される。

請求項（抜粋）：

マトリックス状に配置されて画素電極を駆動する第1の薄膜トランジスタおよび当該第1の薄膜トランジスタを駆動する第2の薄膜トランジスタを同一基板上に形成したアクティブマトリックス基板において、第2の薄膜トランジスタは、絶縁性基板上の予定の間隔を置いて設けられた複数の小領域内に分割して集積され、レーザビームの照射によって多結晶化されたシリコン膜を活性層とすることを特徴とするアクティブマトリックス基板。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 , H01L 21/20 , H01L 29/784 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 A , H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-042717
特開昭58-114085
特開平2-181728

全件表示

前のページに戻る