特許

J-GLOBAL ID：200903037273630682

p型ひずみInGaNベース層を有するGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタとその製造方法

発明者： 辛 裕明 ,  許 進恭 ,  薛 光博
出願人/特許権者： 國立中央大學
代理人 (3件)： 筒井 大和 ,  小塚 善高 ,  筒井 章子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-196189
公開番号（公開出願番号）：特開2007-142365
出願日： 2006年07月18日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：

【課題】オーミックコンタクトを有効に形成し、デバイスの操作特性を向上させる、p型ひずみInGaNベース層を有するGaNへテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】p型ひずみInGaNベース層を有する窒化ガリウムへテロ接合バイポーラトランジスタが提供され、窒化ガリウムへテロ接合バイポーラトランジスタが、基板、基板上に設置される高濃度ドープしたコレクタ接触層、前記コレクタ接触層上に設置される低濃度ドープしたコレクタ層、前記コレクタ層上のp型ベース層、前記p型ベース層上に設置された高濃度ドープしたp型ひずみInGaNベース層、前記p型ひずみInGaNベース層上に設置されるエミッタ層、前記エミッタ層上に設置される高濃度ドープしたエミッタ接触層および前記エミッタ接触層上、前記p型ひずみInGaNベース層上、および前記コレクタ接触層上にそれぞれ設置される、エミッタ金属電極、ベース金属電極およびコレクタ金属電極を含む。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板、前記基板上に設置される高濃度ドープしたコレクタ接触層、前記高濃度ドープしたコレクタ接触層上に設置される低濃度ドープしたコレクタ層、前記コレクタ層上に設置されるp型ベース層、前記p型ベース層上に設置される高濃度ドープしたp型ひずみInGaNベース層、前記高濃度ドープしたp型ひずみInGaNベース層上に設置されるエミッタ層、前記エミッタ層上に設置される高濃度ドープしたエミッタ接触層および、それぞれ前記エミッタ接触層上、前記p型ひずみInGaNベース層上ならびに前記コレクタ接触層上に設置される、エミッタ金属電極、ベース金属電極およびコレクタ金属電極を含むp型ひずみInGaNベース層を有するGaNへテロ接合バイポーラトランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/737 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417

FI (4件)：

H01L29/72 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/50 B

Fターム (26件)：

4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB15 ,  4M104BB17 ,  4M104CC01 ,  4M104FF13 ,  4M104GG06 ,  5F003BA92 ,  5F003BB01 ,  5F003BC01 ,  5F003BE01 ,  5F003BE90 ,  5F003BF06 ,  5F003BH08 ,  5F003BH99 ,  5F003BM01 ,  5F003BM03 ,  5F003BP11 ,  5F003BP31 ,  5F003BP32

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 窒化物半導体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-329238   出願人：日本電信電話株式会社