特許

J-GLOBAL ID：200903034002348362

窒化物半導体

発明者： 牧本 俊樹 ,  熊倉 一英 ,  小林 直樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 高山 道夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-329238
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148477
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】 ドライエッチング法を用いて加工したp型の窒化物半導体の表面に欠陥が発生し、金属を蒸着しても、p型の窒化物半導体と金属の間には良好なオーミック性接触が形成されない。【解決手段】 サファイア基板4上にAlN低温バッファー層3を設け、このAlN低温バッファー層3上にGaNバッファー層2を設け、このGaNバッファー層2上に厚さ700nmのMg-GaN層1を設けたサンプルを窒素雰囲気で熱処理を行い、Mg-GaN層1の上面を約200nmだけエッチングする。エッチングした面に電子ビーム蒸着による2つのNi/Au電極5を設ける。この2電極間の電流-電圧測定結果から電流が流れやすく、オーミック特性が大幅に改善されていることが分かる。これは上記の厚さ700nmのMg-GaN層1に1×1019cm-3のIn原子をドーピングすることにより得られる。

請求項（抜粋）：

反応性イオンエッチング法に代表されるドライエッチング法を用いて加工される窒化物半導体において、エッチングを行うことにより露出した表面近傍は1×1019cm-3以上のIn原子が含まれている層であることを特徴とする窒化物半導体。

IPC (9件)：

H01L 29/12 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (8件)：

H01L 21/28 A ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 29/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 ,  H01L 29/14 ,  H01L 21/302 N ,  H01L 29/72

Fターム (38件)：

4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD26 ,  4M104DD35 ,  4M104FF13 ,  4M104GG06 ,  4M104HH15 ,  5F003AP04 ,  5F003BA92 ,  5F003BB02 ,  5F003BB04 ,  5F003BB08 ,  5F003BE04 ,  5F003BE90 ,  5F003BF03 ,  5F003BF06 ,  5F003BH99 ,  5F003BM03 ,  5F003BP12 ,  5F003BP23 ,  5F003BP32 ,  5F004AA16 ,  5F004BA14 ,  5F004DB19 ,  5F004DB28 ,  5F004EB02 ,  5F041AA21 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073HA10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化物系化合物半導体の選択エッチング方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-066536   出願人：ソニー株式会社
• 窒化物系半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-037990   出願人：株式会社東芝
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-331035   出願人：日亜化学工業株式会社