特許
J-GLOBAL ID：200903037274171738

セラミック回路基板およびその製造方法

発明者：
寺園 博文

寺園 博文 について

, 
福留 武郎

福留 武郎 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


代理人 (1件)： 西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-051260
公開番号（公開出願番号）：特開2007-230791
出願日： 2006年02月27日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：
【課題】 絶縁性、接合強度、信頼性および熱伝導性を向上し、長期間にわたって優れた耐久性と放熱性を実現するセラミック回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】 セラミック回路基板1は、非酸化物セラミックスで構成される基板2の厚み方向一方側表面に、RE-Si-O系酸化物およびRE-Si-O-N系酸化物の少なくとも一方を含む結晶質相で構成される中間層3が設けられ、この中間層3の厚み方向一方側表面に、所定のパターン形状を有する金属層4が接合されている。半導体素子11は、金属層4に電気的に接続されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
非酸化物セラミックスで構成される基板と、 所定のパターン形状を有する金属層と、 前記基板と前記金属層とに接合される中間層とを含み、 前記中間層は、RE-Si-O系酸化物およびRE-Si-O-N系酸化物(REは希土類元素を示す)の少なくとも一方を含む結晶質相で構成されることを特徴とするセラミック回路基板。
IPC (6件)：
C04B 41/90 ,  H01L 23/13 ,  C04B 37/02 ,  H05K 3/20 ,  H05K 3/38 ,  H01L 23/12
FI (6件)：
C04B41/90 C ,  H01L23/12 C ,  C04B37/02 A ,  H05K3/20 Z ,  H05K3/38 D ,  H01L23/12 D
Fターム (33件)：
4G026BA12 ,  4G026BA16 ,  4G026BA17 ,  4G026BB21 ,  4G026BB22 ,  4G026BB35 ,  4G026BB37 ,  4G026BC01 ,  4G026BD08 ,  4G026BE04 ,  4G026BF03 ,  4G026BF04 ,  4G026BF44 ,  4G026BF48 ,  4G026BF52 ,  4G026BG02 ,  4G026BG27 ,  4G026BH07 ,  5E343AA02 ,  5E343AA24 ,  5E343BB06 ,  5E343BB08 ,  5E343BB15 ,  5E343BB24 ,  5E343BB28 ,  5E343BB39 ,  5E343BB40 ,  5E343BB66 ,  5E343DD62 ,  5E343EE22 ,  5E343ER33 ,  5E343GG02 ,  5E343GG16
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特開平03-290378号公報
  • 特開平04-12554号公報
  • セラミックス-金属接合体
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-187958   出願人：株式会社東芝

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