特許
J-GLOBAL ID：200903037275454776
パワーMOSFET
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-043970
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313392
出願日： 2001年02月20日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：
【要約】【課題】 素子破壊され難い素子構造のMOSFETを提供する。【解決手段】 n-型エピ層2内の不純物濃度を主表面から所定深さまでほぼ一定とし、所定深さより深くなるにつれて直線傾斜で高濃度になるようにする。このような構成により、n-型エピ層2での電界分布がなだらかに変化するようにでき、負性抵抗に入るドレイン電流値が従来よりも高くなるようにできる。これにより、複数のMOSFETの一部のドレイン電流が他のMOSFETよりも大きくなったとしても、そのMOSFETが負性抵抗に入り難くなるため、負性抵抗に入るまでの許容電流値、つまりアバランシェ耐量を高くすることができる。従って、複数のMOSFETのうちの一部においてドレイン電流が大電流となることを防止することができ、素子破壊され難い素子構造のMOSFETとすることができる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板(1)と、前記半導体基板の主表面上に形成された第1導電型の半導体層(2)と、前記半導体層の表層部において所定深さで形成された第2導電型のベース領域(8)と、前記半導体層の表層部において、該ベース領域よりも浅く形成された第1導電型のソース領域(7)と、前記ベース領域のうち、前記ソース領域と前記半導体層とに挟まれた部分をチャネル領域として、該チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜(3)と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極(4)と、前記ソース領域及び前記ベース領域に電気的に接続されたソース電極(12)と、前記半導体基板の裏面側に形成されたドレイン電極(13)と、を有してなり、前記半導体層内の第1導電型の不純物濃度は、該半導体層の主表面から所定深さまでほぼ一定となっており、前記所定深さより深くなるにつれて高濃度になっていることを特徴とするパワーMOSFET。
IPC (3件)：
H01L 29/78 652
, H01L 29/78 653
, H01L 21/336
H01L 29/78 652 H
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 658 E
