半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-327934
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163337
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】簡便な方法であってしかも高信頼性を確保できるLDD構造のMOSトランジスタの形成方法を提供する。【解決手段】絶縁ゲート電界効果トランジスタのソース・ドレイン拡散層をLDD構造に形成するにあたっては、ゲート電極5の側壁部にノンドープのポリシリコンで構成されるサイドウォール8を保護絶縁膜6を介して形成し、ソース・ドレイン拡散層の形成領域と、このサイドウォールとに同時に不純物を導入する。そして、同一の熱処理で、LDD構造の低濃度領域(P拡散層12)と高濃度領域(P+ 拡散層)とを同時に形成する。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板上にゲート絶縁膜を介して絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極を形成し、前記ゲート電極の上部及び側壁部と前記半導体基板上に保護絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート電極の側壁部に前記保護絶縁膜を介してノンドープの多結晶シリコンを形成する工程と、前記絶縁ゲート電界効果トランジスタのソース・ドレイン拡散層形成領域および前記多結晶シリコンに逆導電型の不純物イオンを注入する工程と、熱処理により前記多結晶シリコンに注入した不純物を前記保護絶縁膜を通して前記半導体基板の表面に拡散させると共に、前記ソース・ドレイン拡散層形成領域の不純物を活性化させる工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 27/08 321 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平2-001941
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-304872 出願人：三洋電機株式会社

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