特許

J-GLOBAL ID：200903037284189643

半導体装置

発明者： 黒田 尚孝 ,  田能村 昌宏
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (3件)： 机 昌彦 ,  工藤 雅司 ,  谷澤 靖久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-266599
公開番号（公開出願番号）：特開2007-081096
出願日： 2005年09月14日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：

【課題】チップ数や面積の増大を伴わない方法で充分に高い放熱性能を有した半導体装置を提供することにある。【解決手段】窒化物半導体電界効果トランジスタを形成するための基板11としてSiC(0001)面に比べて熱伝導率が40%程度大きなSiC(11-20)面を用いることにより、チップサイズとチップ数を増加させることなく低いチップ熱抵抗を得る。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

六方晶炭化珪素基板上に形成されたIII族窒化物半導体層よりなり、前記III族窒化物半導体層上離間して形成されたソース及びドレイン電極と、前記ソース及びドレイン電極の間に形成されたゲート電極を有する半導体装置であって、前記炭化珪素基板は主面が(11-20)面、及びこれらと結晶学的に等価な面、またはこれらの面から10°以下のオフオリエンテーションを有した面であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (16件)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GR01 ,  5F102GS07 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC21

引用特許：

出願人引用 (1件)

• CMP補助のリフトオフ微細パターニング
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-367987   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション