特許

J-GLOBAL ID：200903037295234381

磁気抵抗効果素子

発明者： 眞子 隆志 ,  小西 義則 ,  川崎 雅司 ,  十倉 好紀 ,  小林 啓一郎 ,  和泉 真
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  富士電機株式会社 ,  三菱電機株式会社 ,  技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構 ,  工業技術院長
代理人 (2件)： 福田 武通 (外2名) ,  福田 武通 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-344861
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156532
出願日： 1998年11月19日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：

【要約】【課題】 高い磁気感度を有し、微弱磁場を検知する磁気センサ等として有効である磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 表面に原子層レベルステップを持つ酸化物基板上に、強磁性酸化物薄膜をエピタキシャル成長する際に、自発的に導入される結晶粒界を磁気抵抗発生部として利用する磁気抵抗効果素子である。

請求項（抜粋）：

結晶粒界で大きな磁気抵抗効果を示す強磁性酸化物を応用した磁気抵抗効果素子であり、表面に原子層レベルステップを持つ酸化物基板上に、強磁性酸化物薄膜をエピタキシャル成長させ、その際に導入される結晶粒界を磁気抵抗発生部として利用することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3件)：

H01L 43/12 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

H01L 43/12 ,  H01F 10/08 A ,  H01L 43/08 M

Fターム (5件)：

5E049AB01 ,  5E049AB10 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16

引用特許：

審査官引用 (1件)

• マンガン系酸化物磁性体層の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-062200   出願人：富士通株式会社