特許
J-GLOBAL ID：200903037295727248

SQUID基板及びこれを用いる磁場計測装置

発明者：
横澤 宏一

横澤 宏一 について

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塚田 啓二

塚田 啓二 について

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鈴木 大介

鈴木 大介 について

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鵜飼 征一

鵜飼 征一 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-303481
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127352
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【目的】 磁束トラップを解除できるSQUID基板を提供する。【構成】 ジョゼフソン接合22を有するSQUIDが形成される基板15と、SQUIDの動作温度に於いて超伝導となる超伝導体で基板に構成されるヒータ5とを有し、ヒータに超伝導体の臨界電流値以上の電流を流し、超伝導体を常伝導に転移させて発熱させることにより、SQUIDの磁束トラップを解除する。【効果】 工程増加させず製造でき電源を増やすことなく磁束トラップを解除できる。
請求項（抜粋）：
ジョゼフソン接合を有するSQUIDが形成される基板と、前記SQUIDの動作温度に於いて超伝導となる超伝導体で前記基板に構成されるヒータとを有し、前記ヒータに前記超伝導体の臨界電流値以上の電流を流し、前記超伝導体を常伝導に転移させて発熱させることにより、前記SQUIDの磁束トラップを解除することを特徴とするSQUID基板。
IPC (6件)：
H01L 39/22 ZAA ,  A61B 5/05 ,  G01R 33/02 ZAA ,  G01R 33/035 ZAA ,  H01L 39/04 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA
FI (6件)：
H01L 39/22 ZAA D ,  A61B 5/05 A ,  G01R 33/02 ZAA R ,  G01R 33/035 ZAA ,  H01L 39/04 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA Z
Fターム (31件)：
2G017AA04 ,  2G017AC04 ,  2G017AD06 ,  2G017AD32 ,  2G017AD33 ,  2G017AD36 ,  2G017AD40 ,  4C027AA02 ,  4C027AA10 ,  4C027EE01 ,  4C027KK01 ,  4C027KK07 ,  4M113AC08 ,  4M113AC33 ,  4M113AD04 ,  4M113AD34 ,  4M113AD36 ,  4M113AD44 ,  4M113AD51 ,  4M113AD56 ,  4M113CA13 ,  4M113CA17 ,  4M113CA34 ,  4M113CA35 ,  4M113CA36 ,  4M114AA13 ,  4M114AA19 ,  4M114AA27 ,  4M114BB03 ,  4M114CC08 ,  4M114CC16
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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