特許
J-GLOBAL ID：200903037307845381
配線基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-055574
公開番号（公開出願番号）：特開2005-244140
出願日： 2004年02月27日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【課題】コア基板を有さない配線基板において、電子部品側の接続端子と接続するビアの小径化、小ピッチ化とその形成精度の向上を可能とする配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、配線積層部からなる配線基板の製造方法であって、補強のための支持体の少なくとも一方の主表面に、導体層と異なる金属材料にてなる金属薄膜層51を介して第一誘電体層上に配線積層部10’を形成した後、支持体を除去して、金属薄膜層51を露出させる支持体除去工程と、金属薄膜層51に開口を形成した後、レーザによってビア用開口を形成し、導体層11を露出させる工程と、金属薄膜層51を選択エッチングにより除去する工程と、開口を導体により充填するとともに、充填された導体の露出面に配線基板の接続端子を形成する工程と、をこの順で行う。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、導体層と誘電体層とが積層される配線積層部からなる配線基板の製造方法であって、
製造時における補強のための支持体の少なくとも一方の主表面に、前記導体層と異なる金属材料にてなる金属薄膜層を介して前記配線積層部を積層し、かつ該配線積層部には、前記金属薄膜層と密着する層として第一誘電体層を形成する積層工程と、
前記支持体を除去して、前記金属薄膜層を露出させる支持体除去工程と、
前記金属薄膜層に開口を形成した後、レーザによって、該開口直下の前記第一誘電体層を貫通するビア用開口を形成し、前記導体層を露出させる開口形成工程と、
前記金属薄膜層を、選択エッチングにより除去する金属薄膜層除去工程と、
前記開口を導体により充填するとともに、充填された前記導体の露出面に前記配線基板の接続端子を形成する接続端子形成工程と、
をこの順で行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H05K3/46 B
, H05K3/46 N
, H05K3/46 X
5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA32
, 5E346AA43
, 5E346BB02
, 5E346CC04
, 5E346CC09
, 5E346CC10
, 5E346CC32
, 5E346CC33
, 5E346CC37
, 5E346CC40
, 5E346CC46
, 5E346DD24
, 5E346EE35
, 5E346FF09
, 5E346FF10
, 5E346GG15
, 5E346GG22
, 5E346GG28
, 5E346HH22
, 5E346HH25
