半導体メモリ装置およびフラッシュメモリ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-371562
公開番号（公開出願番号）：特開2001-184873
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】低コストでデータの書き替え・消去を防止することを実現するフラッシュメモリ装置を提供する。【解決手段】この発明のフラッシュROM10は、所定のアドレス領域に所定のデータが書き込まれたときに、データの書き込みや消去を実行する仕組みとなっており、所定数のデータ信号線からなるデータバスをパッケージの内と外とで相互に接続するためのデータバスコネクタ部10aが設けられている。そして、所定のアドレス領域に所定のデータが書き込まれることを防止するために、データバスコネクタ部10aにおいて少なくとも2つ以上のデータ信号線を互いに交差させるとともに、この交差を考慮させることなく、従来通りにデータの読み出しを行わせるために、このデータ信号線の交差により復元されるべくその一部が予め入れ替えられた逆転データを保持する。

請求項（抜粋）：

所定数のデータ信号線からなるデータバスを介してデータが授受される半導体メモリ装置において、少なくとも2つ以上のデータ信号線を互いに交差させたことを特徴とする半導体メモリ装置。

Fターム (5件)：

5B025AD04 , 5B025AD05 , 5B025AD08 , 5B025AD14 , 5B025AE10

引用特許：

審査官引用 (8件)

セキュリティシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-038193 出願人：株式会社セガ・エンタープライゼス
特開平2-083645
特開平3-168831

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