特許
J-GLOBAL ID:200903037336302222

複合体型混合導電体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大場 充
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-289186
公開番号(公開出願番号):特開2005-053763
出願日: 2003年08月07日
公開日(公表日): 2005年03月03日
要約:
【課題】生産性に優れかつGDC/MFOを低コストで得ることができる複合体型混合導電体の製造方法を提供する。この製造方法は、低温度での焼成をも可能とする。【解決手段】酸化セリウム及び酸化ガドリニウムを含む原料組成物を所定温度にて加熱保持することにより酸素イオン導電体用組成物を生成し、酸化コバルト及び酸化鉄を含む原料組成物を所定温度にて加熱保持することにより電子導電体相用組成物を生成し、酸素イオン導電体相用組成物及び電子導電体相用組成物を粉砕した後に混合し、この混合粉末を造粒して顆粒を作製し、顆粒を所定形状に成形し、得られた成形体を焼成する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
組成式:Ce1-XGdXO2-X/2(ただし、0<X<0.5)で表されるGdがドープさ れた酸化セリウムから構成される酸素イオン導電体相と、組成式:MFe2O4(ただし、M=Mn、Co及びNiの1種又は2種以上)で表されるスピネル型Fe複合酸化物から構成される電子導電体相とを含み、それぞれの相が焼成により結合した複合体型混合導電体の製造方法であって、 Gdがドープされた酸化セリウム粉末と、前記スピネル型Fe複合酸化物を生成しうる組成物粉末との混合物からなる所定形状の成形体を得る工程と、 前記成形体を焼成する工程と、を備えることを特徴とする複合体型混合導電体の製造方法。
IPC (2件):
C04B35/50 ,  H01B13/00
FI (2件):
C04B35/50 ,  H01B13/00 Z
Fターム (5件):
5G301CA02 ,  5G301CD02 ,  5G301CE02 ,  5H027AA02 ,  5H027BA01
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第3330697号公報
審査官引用 (3件)
引用文献:
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