特許
J-GLOBAL ID:200903037353948136
アクティブマトリクス型表示装置およびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (6件):
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-273605
公開番号(公開出願番号):特開2006-093220
出願日: 2004年09月21日
公開日(公表日): 2006年04月06日
要約:
【課題】 電極の段切れを防止して表示品位の優れたアクティブマトリクス型表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 アクティブマトリクス型表示装置は、接続配線4と、貫通孔33を含む無機絶縁膜21と、コンタクトホール32を含む有機絶縁膜22と、画素メタル電極6とを備える。貫通孔33は、接続配線4の表面においてコンタクトホール32よりも大きくなるように形成され、有機絶縁膜22は、貫通孔33とコンタクトホール32とに挟まれるように形成された介在部31を含む。接続配線4は、表面のうち少なくとも介在部31が接する領域に形成された酸化膜を含む。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
第1電極と、
前記第1電極の表面に配置され、貫通孔を含む無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜の表面に配置され、コンタクトホールを含む有機絶縁膜と、
前記コンタクトホールの表面および前記コンタクトホールの内側の前記第1電極の表面に形成された第2電極と
を備え、
前記貫通孔は、前記第1電極の表面において前記コンタクトホールよりも大きくなるように形成され、
前記有機絶縁膜は、前記貫通孔と前記コンタクトホールとに挟まれるように形成された介在部を含み、
前記第1電極は、表面のうち少なくとも前記介在部が接する領域に形成された酸化膜を含む、アクティブマトリクス型表示装置。
IPC (3件):
H01L 23/522
, H01L 21/768
, H01L 51/50
FI (2件):
H01L21/90 B
, H05B33/14 A
Fターム (44件):
3K007AB08
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007FA02
, 3K007GA00
, 5F033GG04
, 5F033HH17
, 5F033JJ01
, 5F033JJ17
, 5F033JJ20
, 5F033JJ35
, 5F033JJ38
, 5F033KK17
, 5F033KK20
, 5F033KK35
, 5F033KK38
, 5F033MM15
, 5F033NN03
, 5F033NN19
, 5F033NN20
, 5F033NN29
, 5F033NN32
, 5F033NN33
, 5F033PP15
, 5F033QQ00
, 5F033QQ09
, 5F033QQ34
, 5F033QQ37
, 5F033QQ89
, 5F033QQ94
, 5F033QQ96
, 5F033RR03
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR13
, 5F033RR14
, 5F033RR21
, 5F033RR22
, 5F033SS22
, 5F033TT04
, 5F033VV15
, 5F033XX01
, 5F033XX02
, 5F033XX14
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-176215
出願人:ソニー株式会社
-
液晶表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-276289
出願人:松下電器産業株式会社
審査官引用 (6件)
-
薄膜半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-152384
出願人:日本電気株式会社
-
特開昭52-156555
-
特開昭63-148659
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