半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-081161
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237542
出願日： 2005年03月22日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】フィルム基材上に半導体素子を形成する製造工程中で、フィルム基材の変形をなくしてフィルム基材の取り扱いを容易にすることで、フィルム基材上に半導体素子を容易に、且つ高精度に形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】支持体11上に加熱、冷却、紫外線照射、電子線照射及び放射線照射することにより剥離強度が低下する接着層もしくは粘着層からなる固定化層21を形成し、ラミネーターにてフィルム基材31を貼り合わせる。フィルム基材31上にドライバ回路41及び画素部TFT回路42を形成し、アクティブマトリックス積層体40を作製する。アクティブマトリックス積層体40と電気泳動表示部50とを貼り合わせ、固定化層21を加熱、冷却、紫外線照射、電子線照射及び放射線照射することにより、支持体11を剥離し、半導体装置100を得る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

フィルム基材上に半導体素子を形成する半導体装置の製造方法であって、前記フィルム基材を支持体に固定する工程と、固定されたフィルム基材上に半導体素子を形成する工程と、前記フィルム基材を前記支持体から剥離する工程とを少なくとも有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , G09F 9/00 , G09F 9/30 , H01L 51/05

FI (5件)：

H01L29/78 626C , G09F9/00 338 , G09F9/30 310 , H01L29/78 618B , H01L29/28

Fターム (30件)：

5C094AA33 , 5C094AA43 , 5C094BA03 , 5C094EB10 , 5C094FB14 , 5C094GB10 , 5C094JA01 , 5C094JA08 , 5C094JA20 , 5F110AA16 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110DD01 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110NN71 , 5F110QQ17 , 5G435AA12 , 5G435AA17 , 5G435HH13 , 5G435KK05

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-044981 出願人：セイコーエプソン株式会社

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