特許
J-GLOBAL ID:200903037373613149

半導体装置の不良解析装置及び不良解析方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 章夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-026351
公開番号(公開出願番号):特開2003-228996
出願日: 2002年02月04日
公開日(公表日): 2003年08月15日
要約:
【要約】【課題】 LSI不良解析において、電気的試験により得られた不良データから不良数ヒストグラムを得ると、不良データに含まれるノイズのため解析精度が落ちるという問題があった。【解決手段】 不良解析計算機10は、テスタ2による電気的試験により得られた不良データ(ビットマップデータ)BDに基づいて座標ごとに不良ビット数をカウントして不良数ヒストグラムを作成し(手段12)、不良数ヒストグラムについてウェーブレット解析を行ないウェーブレット係数を算出する(手段13)。ウェーブレット係数の絶対値がしきい値より小さい場合にウェーブレット係数を修正する(手段14)。修正したウェーブレット係数にウェーブレット逆変換を行い、不良数ヒストグラムを再構築する(手段15)。再構築された不良数ヒストグラムは、解析すべき規則性を失うことなく不必要なノイズが抑圧されており、不良解析の解析精度を高めることが可能になる。
請求項(抜粋):
半導体装置の不良ビットの電気的試験を行う手段から出力される不良ビットのデータを読み込むデータ読み出し手段と、読み込んだ不良ビットをカウントして不良数ヒストグラムを作成する不良数ヒストグラム作成手段と、前記不良数ヒストグラムをもとにウェーブレット解析によりウェーブレット係数の算出を行なうウェーブレット係数算出手段と、前記ウェーブレット係数の絶対値がしきい値より小さい場合に係数の修正を行なうウェーブレット係数修正手段と、修正したウェーブレット係数をもとにウェーブレット逆変換を行なって不良数ヒストグラムを再構築する不良数ヒストグラム再構築手段とを備えることを特徴とする半導体装置の不良解析装置。
IPC (3件):
G11C 29/00 655 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/66
FI (3件):
G11C 29/00 655 Z ,  H01L 21/66 H ,  G01R 31/28 B
Fターム (10件):
2G132AA08 ,  2G132AB02 ,  2G132AC10 ,  2G132AL11 ,  4M106AA02 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21 ,  5L106DD25 ,  5L106DD26 ,  5L106EE02
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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