特許
J-GLOBAL ID：200903037379392187
プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置の電極板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-358417
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193565
出願日： 2003年10月17日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】 プラズマ処理装置において高周波エネルギーの損失を少なくしてプラズマ密度の均一化を容易に、しかも精確に行うこと。【解決手段】 処理容器10内において、リング状の外側上部電極36には、高周波電源52からの高周波がコネクタ48と給電筒50を通って供給される。外側上部電極36の内側に配置された円盤状の内側上部電極38には、高周波電源52からの高周波がコネクタ48と給電棒76とを通って供給される。ここで、外側上部電極36に供給される高周波電力の値は内側上部電極38に供給される高周波電力の値よりも大きいという関係がある。両上部電極36,38と対向して配置されるサセプタ(下部電極)16の上面に被処理基板Wが載置され、基板Wの上で処理ガスのプラズマが生成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
真空可能な処理容器と、
前記処理容器内で所定位置に配置される被処理基板と対向するようにリング状に設置される1つまたは複数の第1の上部電極と、
前記第1の上部電極の半径方向内側に絶縁して配置される第2の上部電極と、
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
第1の高周波を出力する第1の高周波電源と、
前記第1の高周波電源からの前記第1の高周波を前記第1の上部電極に印加する第1の給電部と、
前記第1の高周波電源からの前記第1の高周波を前記第1の給電部から分岐して前記第2の上部電極に供給する第2の給電部と
を有し、前記第1の高周波電源から前記第1の上部電極に印加される高周波電力の値が、前記第1の高周波電源から前記第2の上部電極に印加される高周波電力の値よりも大きいプラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H01L21/3065
, B01J3/00
, B01J19/08
, H01L21/304
, H05H1/46
H01L21/302 101B
, B01J3/00 J
, B01J19/08 E
, H01L21/304 645C
, H05H1/46 M
, H05H1/46 R
4G075AA22
, 4G075AA30
, 4G075BC02
, 4G075BC06
, 4G075CA03
, 4G075CA25
, 4G075CA47
, 4G075DA02
, 4G075DA18
, 4G075EB01
, 4G075EC21
, 4G075EE01
, 4G075EE12
, 4G075EE31
, 4G075FC11
, 4G075FC13
, 5F004AA01
, 5F004AA16
, 5F004BA04
, 5F004BB13
, 5F004DA00
, 5F004DA15
, 5F004DA23
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F004DB03
