シリコンウエーハの熱処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下亮一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-096064
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275436
出願日： 1992年03月24日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 Feを効果的にゲッタリングしてシリコンウエーハ中のFe濃度を任意に低減させることができるシリコンウエーハの熱処理方法を提供すること。【構成】裏面にポリシリコン膜を形成して成るシリコンウエーハを約400°C〜約800°Cの範囲内の温度まで約3°C/min以下の冷却速度で徐冷する(第1発明)。又、同様のシリコンウエーハを範囲約400°C〜800°C内の温度で所定時間保持する(第2発明)。

請求項（抜粋）：

裏面にポリシリコン膜を形成して成るシリコンウエーハを、約400°C〜約800°Cの範囲内の温度まで約3°C/min以下の冷却速度で徐冷することを特徴とするシリコンウエーハの熱処理方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

シリコン基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-265366 出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社

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