特許
J-GLOBAL ID:200903037383009495

パターン形成方法および装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高野 明近
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-008998
公開番号(公開出願番号):特開平7-219236
出願日: 1994年01月31日
公開日(公表日): 1995年08月18日
要約:
【要約】【目的】 フォトリソグラフィー技術、あるいはそのようなフォトリソグラフィー技術、エッチング技術、エレクトロフォーミング技術等を利用して基体上にパターン形成し、あるいは薄い板状部材を製作する際に、高価なフォトマスクを使用せずに簡単なプロセスでそれらの製作を実現する。【構成】 基板4の上には感光性樹脂層が形成されており、この感光性樹脂層の上に噴射ヘッド2より非透光性材料を噴射して所望のパターンを被覆する。このようにして、パターンが形成された基板を露光して前記感光性樹脂を前記非透光性材料の被覆の有無によって選択的に感光させて潜像を形成する。次いで、この潜像を現像して顕像化する。
請求項(抜粋):
物理的もしくは化学的な除去手段もしくは堆積手段によって基体上に微細パターンを形成するためのマスカントとして使用する樹脂パターンの形成方法であって、基体上に感光性樹脂層を形成する工程と、前記感光性樹脂層上を画像情報に応じて直接非透光性材料で被覆する工程と、露光して前記感光性樹脂を前記非透光性材料の被覆の有無によって選択的に感光させて潜像を形成する工程と、現像によって前記潜像を顕像化する工程とよりなることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (7件):
G03F 7/20 521 ,  G03F 7/004 512 ,  G03F 7/26 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306 ,  H05K 3/06
FI (2件):
H01L 21/30 501 ,  H01L 21/306 J
引用特許:
審査官引用 (8件)
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