特許
J-GLOBAL ID：200903037385080472
高電子移動度トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-011974
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205197
出願日： 1996年01月26日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：
【要約】【課題】従来のインジウム・リン系高電子移動度トランジスタは、ゲート耐圧が低く、この点を原因とした実用上の制約があった。【解決手段】半絶縁性InPを基板1とし、n型InAlAsをキャリア供給層5とし、さらにInGaAsをチャネル層3として備えるHEMTにおいて、チャネル層3の下に、正孔流入障壁層6を設ける。正孔流入障壁層6は、たとえばInPから構成される層6aと、InAlAs、InGaAsもしくはInAlGaAsから構成される層6bとの積層体から成り、この積層体の存在が基板1側からの正孔流入を阻止する。
請求項（抜粋）：
インジウム・リンを基板とし、n型インジウム・アルミニウム・砒素をキャリア供給層とし、そしてインジウム・ガリウム・砒素をチャネル層とする高電子移動度トランジスタにおいて、前記チャネル層と前記基板との間に、インジウム・アルミニウム・砒素のインジウム組成の異なった第1および第2の層を交互に積層して形成された正孔流入障壁層を有することを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/20
H01L 29/80 H
, H01L 21/20
