液晶垂直配向膜の形成方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-012158
公開番号（公開出願番号）：特開平9-281502
出願日： 1997年01月27日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】液晶表示装置の電極基板上に、液晶の垂直配向性、その再現性、耐熱性及び均一性に優れる液晶配向膜を、簡便に且つ効率よく形成させること。【解決手段】 Si(OR)4 で示される珪素化合物と、R1Si(OR)3で示される珪素化合物と、R2CH2OHで示されるアルコールと、蓚酸とを特定比率に含有する反応混合物を水の不存在下に50〜180°Cで加熱することによりポリシロキサンの溶液を生成させ、当該溶液を含有する塗布液を電極基板表面に塗布し、そしてその塗膜を80〜400°Cで熱硬化させることを特徴とする、当該電極基板表面上にこれに密着した液晶垂直配向膜を形成させる方法。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1) Si(OR)4 ・・・・・・・・・・・・・・・・・ (1)(但し、Rは1〜5個の炭素原子を有するアルキル基を表す。)で示される珪素化合物(A)と、下記一般式(2) R1 Si(OR)3 ・・・・・・・・・・・・・・・・・ (2)(但し、R1 は、3〜20個の炭素原子を有する非置換の若しくはフッ素原子置換基を有するアルキル基を表し、そしてRは、上記と同じである。)で示される珪素化合物(B)と、下記一般式(3) R2 CH2 OH ・・・・・・・・・・・・・・・・・ (3)(但し、R2 は、水素原子又は1〜12個の炭素原子を有する非置換の若しくは置換基を有するアルキル基を表す。)で示されるアルコール(C)と、蓚酸(D)とを、珪素化合物(A)1モルに対して珪素化合物(B)0.05〜0.43モルの比率に、珪素化合物(A)と珪素化合物(B)に含まれる全アルコキシ基1モルに対してアルコール(C)0.5〜100モルの比率に、そして珪素化合物(A)と珪素化合物(B)に含まれる全アルコキシ基1モルに対して蓚酸(D)0.2〜2モルの比率に含有する反応混合物を形成させ、そしてこの反応混合物を、その中の珪素原子から換算された0.5〜10重量%のSiO2 濃度に維持すると共に水の不存在を維持しながら、当該反応混合物中珪素化合物(A)及び珪素化合物(B)の全残存量が5モル%以下となるまで、50〜180°Cで加熱することにより、これにより生じたポリシロキサンの溶液を生成させ、次いで当該ポリシロキサンの溶液を含有する塗布液を電極基板表面に塗布し、そしてこの塗布により得られた塗膜を80〜400°Cで熱硬化させることを特徴とする当該電極基板表面上にこれに密着した液晶垂直配向膜を形成させる方法。

IPC (2件)：

G02F 1/1337 530 , C09D183/04 PMS

FI (2件)：

G02F 1/1337 530 , C09D183/04 PMS

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭58-009125
特開昭62-270919
液晶表示素子絶縁被膜形成用塗布液
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-004961 出願人：日産化学工業株式会社

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