特許

J-GLOBAL ID：200903037407780678

窒化物系半導体基板及び半導体装置

発明者： 大島 祐一
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (7件)： 平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  岡本 芳明 ,  岩永 勇二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光 ,  野見山 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-350749
公開番号（公開出願番号）：特開2007-153664
出願日： 2005年12月05日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：

【課題】充分な導電性を確保しつつ、高い熱伝導率と高い電子移動度を有する窒化物系半導体基板及び半導体装置を提供する。【解決手段】直径25mm以上、かつ厚さ250μm以上の寸法を有する窒化物系半導体からなる基板であって、n型のキャリア濃度が1.2×1018cm-3以上3×1019cm-3以下であり、かつ熱伝導率が1.2W/cmK以上3.5W/cmK以下である窒化物系半導体基板。また、その窒化物系半導体基板の上に窒化物系半導体をエピタキシャル成長させて半導体装置とする。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

直径25mm以上、かつ厚さ250μm以上の寸法を有する窒化物系半導体からなる基板であって、n型のキャリア濃度が1.2×1018cm-3以上3×1019cm-3以下であり、かつ熱伝導率が1.2W/cmK以上3.5W/cmK以下であることを特徴とする窒化物系半導体基板。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

C30B29/38 D ,  H01L33/00 C

Fターム (18件)：

4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077AB03 ,  4G077AB06 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077EB06 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041AA33 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 自立基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-166463   出願人：株式会社フジクラ

審査官引用 (1件)

• 自立基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-166463   出願人：株式会社フジクラ

引用文献：

出願人引用 (3件)

• Thermal and optical properties of bulk GaN crystals fabricated through hydride vapor phase epitaxy w
• Increased thermal conductivity of free-standing low-dislocation-density GaN films
• Temperature dependence of the thermal conductivity and phonon scattering time of a bulk GaN crystal

審査官引用 (3件)

• Thermal and optical properties of bulk GaN crystals fabricated through hydride vapor phase epitaxy w
• Increased thermal conductivity of free-standing low-dislocation-density GaN films
• Temperature dependence of the thermal conductivity and phonon scattering time of a bulk GaN crystal