半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-356990
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176875
出願日： 1999年12月16日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】ボンディングパッドの下地層間絶縁膜側に、原子百分率で10〜25%の窒素が添加されたチタン膜が形成されていることによって、最上層配線の電気特性を低下させずにボンディングパッドの剥れを防止することを特徴とする半導体装置。【解決手段】ボンディングパッド112下部のチタン膜101に窒素を添加することでTiが活性化を抑制し、下地層間絶縁膜100内部の酸素との反応を防止する。

請求項（抜粋）：

ボンディングパッドを有する半導体装置において、絶縁膜上に原子百分率で10%以上,25%以下の窒素が添加されたチタン膜を介してボンディングパッドが形成されており、該ボンディングパッドは窒化チタン膜上に導電性膜が形成された構造であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/60 301

FI (2件)：

H01L 21/60 301 P , H01L 21/88 T

Fターム (36件)：

5F033HH08 , 5F033HH18 , 5F033HH33 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK08 , 5F033KK18 , 5F033KK33 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP16 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ31 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033SS01 , 5F033SS02 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033VV07 , 5F033WW04 , 5F033XX14 , 5F044EE04 , 5F044EE06 , 5F044EE12

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