特許
J-GLOBAL ID:200903037454365140

透明導電性積層体及びそれを用いた分散型EL素子

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-319340
公開番号(公開出願番号):特開2000-141533
出願日: 1998年11月10日
公開日(公表日): 2000年05月23日
要約:
【要約】【課題】 透明導電層の断線に起因する分散型EL素子の発光不良の発生を防止する。【解決手段】 透明基体(A)10の一方の主面に、少なくとも、酸化インジウムを主成分とする透明導電層(B)20を形成した積層体において、該透明導電層(B)の単位幅当たりの耐電流値を10(mA/mm)以上、80(mA/mm)以下とする。
請求項(抜粋):
透明基体(A)の一方の主面に、少なくとも、酸化インジウムを主成分とする透明導電層(B)を形成した積層体であって、該透明導電層(B)の単位幅当たりの耐電流値が10(mA/mm)以上、80(mA/mm)以下であることを特徴とする透明導電性積層体。
IPC (3件):
B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 ,  H05B 33/28
FI (3件):
B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 A ,  H05B 33/28
Fターム (32件):
3K007AB02 ,  3K007AB05 ,  3K007AB11 ,  3K007CA05 ,  3K007CB01 ,  3K007DA04 ,  3K007DB02 ,  3K007EA03 ,  3K007EB04 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03 ,  4F100AA17B ,  4F100AA28 ,  4F100AA33 ,  4F100AA33B ,  4F100AK01A ,  4F100AK42 ,  4F100AR00A ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100BA07 ,  4F100EH66 ,  4F100EH662 ,  4F100EJ423 ,  4F100GB41 ,  4F100JG01 ,  4F100JG01B ,  4F100JN01 ,  4F100JN01A ,  4F100JN01B ,  4F100YY00B ,  4F100YY003
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開昭48-055267
  • 透明導電膜およびその形成方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-273432   出願人:株式会社リコー
  • 特開昭60-124397
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