特許
J-GLOBAL ID：200903037454365140
透明導電性積層体及びそれを用いた分散型EL素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-319340
公開番号（公開出願番号）：特開2000-141533
出願日： 1998年11月10日
公開日（公表日）： 2000年05月23日
要約：
【要約】【課題】 透明導電層の断線に起因する分散型EL素子の発光不良の発生を防止する。【解決手段】 透明基体(A)10の一方の主面に、少なくとも、酸化インジウムを主成分とする透明導電層(B)20を形成した積層体において、該透明導電層(B)の単位幅当たりの耐電流値を10(mA/mm)以上、80(mA/mm)以下とする。
請求項（抜粋）：
透明基体(A)の一方の主面に、少なくとも、酸化インジウムを主成分とする透明導電層(B)を形成した積層体であって、該透明導電層(B)の単位幅当たりの耐電流値が10(mA/mm)以上、80(mA/mm)以下であることを特徴とする透明導電性積層体。
IPC (3件)：
B32B 7/02 104
, B32B 9/00
, H05B 33/28
B32B 7/02 104
, B32B 9/00 A
, H05B 33/28
3K007AB02
, 3K007AB05
, 3K007AB11
, 3K007CA05
, 3K007CB01
, 3K007DA04
, 3K007DB02
, 3K007EA03
, 3K007EB04
, 3K007FA01
, 3K007FA03
, 4F100AA17B
, 4F100AA28
, 4F100AA33
, 4F100AA33B
, 4F100AK01A
, 4F100AK42
, 4F100AR00A
, 4F100AT00A
, 4F100BA02
, 4F100BA07
, 4F100EH66
, 4F100EH662
, 4F100EJ423
, 4F100GB41
, 4F100JG01
, 4F100JG01B
, 4F100JN01
, 4F100JN01A
, 4F100JN01B
, 4F100YY00B
, 4F100YY003
