エピタキシャル成長方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-198305
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064791
出願日： 1994年08月23日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】格子不整合系のエピタキシャル成長において、転位密度が少なく発光ダイオードやレーザダイオード等の半導体発光素子の作製に適した高品質のエピタキシャル成長層を得るためのエピタキシャル成長方法を提供する。【構成】最初の結晶成長で、サファイア基板31上にアモルファス状のGaN膜35を成長させる。アモルファスGaN膜35をストライプ状にエッチングする。2回目の結晶成長で、前記アモルファスGaN膜35の上に、GaN膜34をエピタキシャル成長させる。これにより格子欠陥や転位は、特定の領域36に集中し、所望の半導体発光素子の活性領域での欠陥密度を相対的に低減できる。

請求項（抜粋）：

基板と前記基板上に成長するエピタキシャル層とが格子不整合である系のエピタキシャル成長において、前記基板とエピタキシャル成長層の格子不整合により発生する転位を特定の場所に集中させることを特徴とするエピタキシャル成長方法。

IPC (4件)：

H01L 27/12 , H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭55-098823
窒化ガリウム系薄膜の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-265835 出願人：旭化成工業株式会社
特開昭61-131526

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