酸化物透明導電膜と酸化物透明導電膜形成用ターゲットおよび先の酸化物透明導電膜を備えた基板の製造方法と電子機器および液晶表示装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：志賀正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-336865
公開番号（公開出願番号）：特開2001-155549
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】本発明は、弱酸での微細化エッチングが可能であり接続抵抗も低く、光透過率も優秀であり、TCP接続する場合の抵抗も低く、経時的に抵抗値が変動しない酸化物透明導電膜とその製造用ターゲットの提供を目的とする。更に本発明は、酸化物透明導電膜を備えた基板の製造方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明の酸化物透明導電膜6はインジウム酸化物とスズ酸化物と亜鉛酸化物を含む複合酸化物からなり、少なくとも他の導体との接続部分6aを有し、接続部分においてスズが亜鉛よりも多い組成とされ、接続部分が結晶性を有することを特徴とする。本発明のターゲットは前記複合酸化物からなる。更に本発明の基板の製造方法は前記複合酸化物を成膜後、エッチング処理しパターニングしてから熱処理することで接続抵抗の低い酸化物透明導電膜6を備えた基板2を得る。

請求項（抜粋）：

インジウム酸化物とスズ酸化物と亜鉛酸化物を含む複合酸化物からなり、少なくとも他の導体との接続部分を有し、少なくとも前記接続部分においてスズが亜鉛よりも多い組成とされ、少なくとも前記接続部分が結晶性を有することを特徴とする酸化物透明導電膜。

IPC (8件)：

H01B 5/14 , C23C 14/08 , C23C 14/34 , G02F 1/1343 , G09F 9/00 338 , G09F 9/30 339 , H01B 1/08 , H01B 13/00 503

FI (8件)：

H01B 5/14 A , C23C 14/08 D , C23C 14/34 A , G02F 1/1343 , G09F 9/00 338 , G09F 9/30 339 Z , H01B 1/08 , H01B 13/00 503 B

Fターム (57件)：

2H092GA48 , 2H092GA51 , 2H092HA04 , 2H092HA25 , 2H092JA26 , 2H092MA05 , 2H092MA17 , 2H092MA29 , 2H092MA37 , 2H092NA27 , 2H092NA28 , 4K029AA09 , 4K029BA45 , 4K029BA47 , 4K029BA49 , 4K029BA50 , 4K029BC01 , 4K029BC05 , 4K029BC09 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029GA01 , 5C094AA43 , 5C094BA23 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094CA24 , 5C094DA14 , 5C094DA15 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094EA07 , 5C094EB02 , 5C094GB10 , 5G301CA02 , 5G301CA23 , 5G301CA27 , 5G301CA30 , 5G301CD03 , 5G301CD10 , 5G307FA01 , 5G307FB01 , 5G307FC09 , 5G307FC10 , 5G323BA02 , 5G323BB05 , 5G323BC03 , 5G435AA16 , 5G435AA17 , 5G435BB12 , 5G435EE33 , 5G435HH02 , 5G435HH12 , 5G435KK05 , 5G435KK09

引用特許：

審査官引用 (2件)

透明電極
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-197533 出願人：株式会社高純度化学研究所
特開昭63-304520

前のページに戻る