特許
J-GLOBAL ID:200903037489523414

放射線イメージセンサ及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-248200
公開番号(公開出願番号):特開2000-075038
出願日: 1998年09月02日
公開日(公表日): 2000年03月14日
要約:
【要約】【課題】 高解像度を維持した状態で放射線イメージセンサ撮像素子の受光部に入射する光を増加させることである。【解決手段】 フォトダイオードアレイ10の受光面上に形成された潮解性を有する柱状構造のシンチレータ12と、前記柱状構造のシンチレータを覆うポリパラキシリレン膜14とを備える放射線イメージセンサにおいて、前記フォトダイオードアレイの受光部10a上に形成された前記柱状構造のシンチレータの柱径が前記フォトダイオードアレイの受光部上以外の部分に形成された前記柱状構造のシンチレータの柱径に比較して大きいことを特徴とする。
請求項(抜粋):
撮像素子の受光面上に形成された柱状構造のシンチレータと、前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆する有機膜とを備える放射線イメージセンサにおいて、前記撮像素子の受光部上に形成された前記柱状構造のシンチレータの柱径が前記撮像素子の受光部上以外の部分に形成された前記柱状構造のシンチレータの柱径に比較して大きいことを特徴とする放射線イメージセンサ。
IPC (2件):
G01T 1/20 ,  G01T 1/00
FI (2件):
G01T 1/20 G ,  G01T 1/00 B
Fターム (8件):
2G088EE01 ,  2G088EE27 ,  2G088FF02 ,  2G088FF20 ,  2G088GG09 ,  2G088GG16 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ37
引用特許:
審査官引用 (4件)
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