特許
J-GLOBAL ID：200903037491525661
ビス(アルキルシクロペンタジエニル)ルテニウムの製造方法及びその方法により製造されるビス(アルキルシクロペンタジエニル)ルテニウム並びにルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 大輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-292288
公開番号（公開出願番号）：特開2002-105091
出願日： 2000年09月26日
公開日（公表日）： 2002年04月10日
要約：
【要約】【解決課題】 高純度であり、且つ、モルホロジーが良好なルテニウム又はルテニウム薄膜を製造可能なビス(アルキルシクロペンタジエニル)ルテニウムの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、Xは塩素を有しない陰イオンを含むルテニウム化合物と、アルキルシクロペンタジエンとを有機溶媒中で反応させてなるビス(アルキルシクロペンタジエニル)ルテニウムの製造方法である。ここで、原料となるルテニウム化合物としては、硝酸ルテニウム、硫酸ルテニウム、酢酸ルテニウムのいずれかを反応させるのが特に好ましい。また、この反応系には還元剤として亜鉛を共存させて反応させるのが好ましく、適当な反応温度としては-80〜0°Cである。
請求項（抜粋）：
化1で示されるルテニウム化合物と、化2で示されるアルキルシクロペンタジエンとを有機溶媒中で反応させてなる、化3で示されるビス(アルキルシクロペンタジエニル)ルテニウムの製造方法。【化1】(式中、Xは塩素を有しない陰イオンを示す。)【化2】(式中、Rは、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基を示す。)【化3】(式中のRの意義は上記と同様である。)
IPC (3件)：
C07F 17/02
, C07F 15/00
, C23C 16/18
C07F 17/02
, C07F 15/00 A
, C23C 16/18
4H050AA01
, 4H050AA02
, 4H050AB78
, 4H050AB91
, 4H050BB14
, 4H050BE24
, 4H050BE62
, 4H050WB11
, 4H050WB21
, 4K030AA11
, 4K030AA14
, 4K030BA58
, 4K030CA04
, 4K030FA10
, 4K030JA09
, 4K030LA11
