特許
J-GLOBAL ID：200903037503799479
窒化物半導体発光素子の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-006300
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219560
出願日： 1996年01月18日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：
【要約】【目的】 サファイア基板の上に窒化物半導体が成長されたウェーハより、切断面が平滑なチップの新規な製造方法を提供し、歩留まりよく窒化物半導体発光素子を製造すると共に、またレーザ素子となりうる発光素子を実現する。【構成】 サファイア基板のA面の上に発光する活性層を含む窒化物半導体を成長させた後、そのサファイア基板面のC軸に垂直な方向から58±5 ゚若しくは40±5 ゚の角度で基板を割ることにより、平坦で互いに平行な分割面が得られるのでこの面を共振面としたレーザ素子ができる。
請求項（抜粋）：
サファイア基板のA面の上に発光する活性層を含む窒化物半導体を成長させた後、そのサファイア基板A面をC軸に垂直な方向から58±5 ゚若しくは40±5 ゚の角度で割ることを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
