特許
J-GLOBAL ID：200903037505200787

LEDアレイおよびその製造方法

発明者：
岸本 達也

岸本 達也 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-262506
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078161
出願日： 2001年08月30日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：
【要約】【課題】全工程終了後発光強度の調整ができ、順メサの一部がえぐれないようにして電極の断線を防ぎ、高品質かつ高信頼性のLEDアレイを提供する。【解決手段】高抵抗シリコン基板1上に一導電型半導体層2と逆導電型半導体層3と個別電極4とを形成し、一導電型半導体層2を引き延ばした延在部の上に共通電極5を接続し、第二のオーミックコンタクト層の厚さを最終工程終了後、ライトエッチで調整することでねらいの発光強度を得る。
請求項（抜粋）：
単結晶基板上にヘテロ成長にて大面積の一導電型半導体層と小面積の逆導電型半導体層とを順次積層して、逆導電型半導体層の最上層を成す光吸収層を0.02μm以上の厚みにて形成するとともに、一導電型半導体層を引き延ばして延在部と成し、さらに逆導電型半導体層上に一方電極を形成して、一方電極が配設されていない部分でもって発光を外部に通過させる発光通過領域と成し、延在部上に他方電極を形成して成る発光素子を複数個配列して発光素子群と成したLEDアレイであって、前記一導電型半導体層の延在部を配した側とは反対側にも第2の延在部を設けて、第2の延在部上を通して一方電極を引出したことを特徴とするLEDアレイ。
IPC (4件)：
H01L 33/00 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455
FI (2件)：
H01L 33/00 A ,  B41J 3/21 L
Fターム (18件)：
2C162AE28 ,  2C162AE47 ,  2C162FA04 ,  2C162FA17 ,  2C162FA23 ,  5F041AA41 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA53 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CB11 ,  5F041CB16 ,  5F041CB25 ,  5F041FF13
引用特許：
審査官引用 (3件)

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