半導体発光装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-368838
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196149
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】発光した光の横からの漏れ防止や、一導電型半導体層の露出工程における選択的エッチング液の採用により、逆導電型半導体層とコンタクトして基板上に引き出される個別電極がメサ形状不良により断線するという問題があった。【解決手段】単結晶基板上に島状の一導電型半導体層を設けると共に、この一導電型半導体層上にこの一導電型半導体層の一部が露出するように逆導電型半導体層を設け、この一導電型半導体層の露出部と前記逆導電型半導体層上に電極を接続して設けた半導体発光装置において、前記一導電型半導体層の露出部における前記逆導電型半導体層の側壁部を一導電型半導体層の露光の工程において順メサ構造となるようにパターニングしたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

単結晶基板上に島状の一導電型半導体層を設けると共に、この一導電型半導体層上にこの一導電型半導体層の一部が露出するように逆導電型半導体層を設け、この一導電型半導体層の露出部と前記逆導電型半導体層上に電極を接続して設けた半導体発光装置において、前記電極を前記単結晶基板の<110>方向に引き出したことを特徴とする半導体発光装置。

Fターム (12件)：

5F041AA25 , 5F041CA04 , 5F041CA35 , 5F041CA36 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA83 , 5F041CA91 , 5F041CA92 , 5F041CB11 , 5F041FF13

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-107886
特開昭62-014480
特開昭62-014480

全件表示

前のページに戻る