特許

J-GLOBAL ID：200903037505300382

化合物半導体薄膜とその製造方法及び太陽電池

発明者： 小原 直樹 ,  根上 卓之 ,  西谷 幹彦 ,  和田 隆博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-219580
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064925
出願日： 1996年08月21日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 Ga濃度の少ない高品質な膜でかつ太陽光スペクトルにマッチしたバンドギャップをもつ光吸収層を得る。Ia族を加えた条件でCu(In,Ga)3Se5がp形化するためのInとGaの固溶率の条件範囲に関する詳細については明らかでなく、さらに基板から拡散、混入しているNa等の不純物元素によってCu(In,Ga)3Se5の物性値がどのように変化しているかについてはわかっていないので、その詳細を検討することが重要な課題である。【解決手段】 Ia族元素を含有した[Cu2(SzSe1-z)]x[(In1-yGay)2(SzSe1-z)3]1-x化合物半導体薄膜(但し、0.16≦x≦0.34、0.05≦y≦0.55、0≦z≦1.0)を太陽電池の光吸収層に適用する。

請求項（抜粋）：

Ia族元素を含有した[Cu2(SzSe1-z)]x[(In1-yGay)2(SzSe1-z)3]1-x化合物半導体薄膜。但し、0.16≦x≦0.34、0.05≦y≦0.55、0≦z≦1.0である。

IPC (3件)：

H01L 21/363 ,  H01L 21/203 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/363 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 31/04 E

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-236333   出願人：松下電器産業株式会社