特許
J-GLOBAL ID:200903037514317590
シンチレータファイバプレート及び放射線イメージセンサ
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-171185
公開番号(公開出願番号):特開2000-002768
出願日: 1998年06月18日
公開日(公表日): 2000年01月07日
要約:
【要約】【課題】 光出力を十分に確保することができるシンチレータファイバプレートを提供することである。【解決手段】 ファイバオプティカルプレート10上にシンチレータ14を形成したシンチレータファイバプレート2において、前記ファイバオプティカルプレート10と前記シンチレータ14との間に前記ファイバオプティカルプレート及び前記シンチレータの光学的屈折率よりも小さい光学的屈折率を有する材料からなる中間層(LiF層)12を設けたことを特徴とする。
請求項(抜粋):
ファイバオプティカルプレート上にシンチレータを形成したシンチレータファイバプレートにおいて、前記ファイバオプティカルプレートと前記シンチレータとの間に前記ファイバオプティカルプレート及び前記シンチレータの光学的屈折率よりも小さい光学的屈折率を有する材料からなる中間層を設けたことを特徴とするシンチレータファイバプレート。
Fターム (7件):
2G088EE01
, 2G088FF02
, 2G088GG15
, 2G088GG16
, 2G088GG19
, 2G088JJ06
, 2G088JJ37
引用特許:
審査官引用 (8件)
-
特開平1-191087
-
特開昭63-238584
-
低光散乱蛍光体とその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-258587
出願人:ソニー株式会社
全件表示
前のページに戻る