特許
J-GLOBAL ID：200903037522909790

半導体装置およびその製造方法

発明者：
上原 隆

上原 隆 について

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平井 健裕

平井 健裕 について

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中岡 弘明

中岡 弘明 について

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神田 彰弘

神田 彰弘 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-324794
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162980
出願日： 1997年11月26日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 銅配線を有する半導体装置において、ボンディングパッドのディシュイングの影響を低減もしくは補償する。【解決手段】 複数の層間絶縁膜21、23、28のうちの最上層28のボンディングパッド形成領域に開口部30を設け、開口部30内に導電性材料を埋め込むことによってボンディングパッド32を形成する工程を包含する半導体装置の製造方法において、最上層28の開口部30を形成する前に下層の層間絶縁膜に23に開口部25を形成しておき、ボンディングパッド32の厚さを厚くする。
請求項（抜粋）：
複数の半導体集積回路素子が形成された基板と、前記半導体集積回路素子を覆うように前記基板上に形成され、表面に溝を有する第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜の前記表面の前記溝内に形成された第1配線と、前記第1配線を覆うように前記基板上に形成され、ビア開口部を有する第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜の前記ビア開口部内に形成されたビア配線と、前記第2絶縁膜上に形成され、溝状開口部およびボンディングパッド用開口部を有する第3絶縁膜と、前記第3絶縁膜の前記溝状開口部内に形成された第2配線と、前記第3絶縁膜の前記ボンディングパッド用開口部内に形成されたボンディングパッドと、を備えた半導体装置であって、前記第2絶縁膜は、前記第3絶縁膜の前記ボンディングパッド用開口部の下方に開口部を有し、それによって前記ボンディングパッドが前記第2配線よりも厚くなっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/60 301
FI (3件)：
H01L 21/88 T ,  H01L 21/60 301 N ,  H01L 21/92 604 R
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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