特許
J-GLOBAL ID:200903090152512818

パッド構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 船橋 國則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-133972
公開番号(公開出願番号):特開平6-326150
出願日: 1993年05月12日
公開日(公表日): 1994年11月25日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、上層のパッドを形成する際の逆スパッタ時における下層のパッドにチャージアップされる電荷量の低減を図ることにより、半導体装置の信頼性を高める。さらに多層パッド構造の占有面積の低減を図る。【構成】 基板11上に第1のパッド12が形成されていて、それを覆う状態に第1の絶縁膜13が形成され、第1のパッド12の側周側上の第1の絶縁膜13には接続孔14が形成されていて、接続孔14を通して第1のパッド12に接続する第2のパッド15が第1の絶縁膜13上に形成されているものである。上記接続孔14は、複数設けられている、または第1のパッド12の中央部上の第1の絶縁膜13を連続的に囲む状態に設けられている。また上記パッド構造のうちのいづれか一方の構造または両方の構造よりなるもので、3層以上のパッドでパッド構造を構成してもよい。
請求項(抜粋):
基板上に形成した第1のパッドと、前記第1のパッドを覆う状態に形成した絶縁膜と、前記第1のパッドの側周側上の絶縁膜に形成した接続孔と、前記接続孔を通して前記第1のパッドに接続するもので、前記絶縁膜上に形成した第2のパッドとよりなることを特徴とするパッド構造。
引用特許:
審査官引用 (7件)
  • 特開平3-153042
  • 特開平4-253337
  • 半導体集積回路
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-067151   出願人:富士電機株式会社
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