特許
J-GLOBAL ID：200903037551654962
表面処理方法および表面処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-155152
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330278
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【目的】 プラズマを用いて酸化シリコン薄膜等をエッチング等する場合にエッチング速度の選択性を長期間にわたって再現性良くする。【構成】 分子中に炭素原子、フッ素原子、水素原子のうち少なくとも1種類を含むガスを主に用いて生成したプラズマを利用して行う薄膜を処理するドライエッチング等する方法で、プラズマ中のCF2 分子からの発光強度とF原子からの発光強度の比率が一定となるようにプラズマの生成条件を調整する。表面処理装置は、プラズマからの光を分光してCF2 分子とF原子の各発光強度を測定する発光強度測定部23,24 と、各発光強度の比率を計算する演算部25と、比率を一定に保つように高周波電力とガス流量のいずれか一方または両方を制御する制御部25を備える。
請求項（抜粋）：
分子中に炭素原子とフッ素原子と水素原子のうち少なくとも1種類を含むガスを主として用いて生成したプラズマを利用して行う薄膜を処理する表面処理方法において、プラズマ中のCF2 分子からの発光強度とF原子からの発光強度の比率が一定となるようにプラズマの生成条件を調整することを特徴とする表面処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H05H 1/46
H01L 21/302 F
, C23F 4/00 A
, C23F 4/00 E
, H05H 1/46 Z
, H01L 21/302 E
