特許
J-GLOBAL ID：200903087190047516
プラズマエッチング方法とその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-334488
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267900
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 プラズマ中の解離反応やイオン温度を制御しエッチング特性を高精化する。また、基板に蓄積する電荷を抑制する。【構成】 ECRプラズマ用マイクロ波を10kHz以上の周波数でパルス変調する。プラズマ中のラジカル生成割合を制御できエッチング時の選択性を制御できる。プラズマ中の不安定性を抑制でき、イオン温度を低下できる。プラズマ照射時に蓄積する電荷量をおさえることができる。
請求項（抜粋）：
高周波電界により励起されたプラズマを基板に照射して基板のエッチングを行うプラズマエッチング方法において、導入するプラズマ生成用高周波電界が10kHz以上の周波数でパルス変調されていることを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H05H 1/46
