シリコン単結晶の引上げ方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-310112
公開番号（公開出願番号）：特開2001-130995
出願日： 1999年10月29日
公開日（公表日）： 2001年05月15日
要約：

【要約】【課題】シリコン単結晶を引上げる際に、ネッキング部を太く、かつ効率的に形成して、大重量の単結晶であっても引上げが可能になる。【解決手段】(1) 減径部と定径部とから構成されるネッキング部を形成したのちシリコン単結晶を引上げる方法において、シリコン融液に種結晶を接触させて上記ネッキング部の減径部を形成する際に、シリコン融液の液温を、シリコン融液に種結晶を接触させて種結晶を1.5mm/minの引き上げ速度で引き上げた場合に、種結晶下端部の直径が減径しない温度とし、種結晶を2.5mm/min以上の引き上げ速度で引き上げてネッキング部を形成することを特徴とするシリコン単結晶の引上げ方法である。(2) 上記ネッキング部の定径部の直径を4.5mm〜10mmにするのが望ましい。ネッキング部の形成の際に、固液界面形状を下凸状態で維持するため、種結晶の引上げ速度を0.0mm/min〜1.5mm/minの範囲で30秒間以上保持する操作を少なくとも1回行うことが望ましい。

請求項（抜粋）：

坩堝内のシリコン融液に接触する種結晶を無転位化する、減径部と定径部とから構成されるネッキング部を形成したのちシリコン単結晶を引上げる方法において、シリコン融液に種結晶を接触させて上記ネッキング部の減径部を形成する際に、シリコン融液の液温を、シリコン融液に種結晶を接触させて種結晶を1.5mm/minの引き上げ速度で引き上げた場合に、種結晶下端部の直径が減径しない温度とし、種結晶を2.5mm/min以上の引き上げ速度で引き上げてネッキング部を形成することを特徴とするシリコン単結晶の引上げ方法。

IPC (3件)：

C30B 15/22 , C30B 29/06 502 , H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 15/22 , C30B 29/06 502 J , H01L 21/208 P

Fターム (14件)：

4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077EH04 , 4G077EH09 , 4G077EJ02 , 4G077HA12 , 5F053AA12 , 5F053AA13 , 5F053BB04 , 5F053DD01 , 5F053FF04 , 5F053GG01 , 5F053HH04 , 5F053RR20

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-252388
脆性材料板の切断方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-278576 出願人：日本板硝子株式会社
特開平3-252388

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